Transistor Level Reliability Assessment of Gate Oxide Defects by BTI Stress Nanoprobing

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Symposium for Testing and Failure Analysis (45. : 2019 : Portland, Or.) ISTFA 2019
1. Verfasser:	Albert, Dave (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Song, Zhigang (VerfasserIn), Tenney, Mike (VerfasserIn), McGinnis, Pat (VerfasserIn), Oarethu, Johns (VerfasserIn)
Pages:	2019
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
Schlagworte:
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!