Radiation Hardness of 4H-SiC JFETs in MGy Dose Ranges

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019
1. Verfasser:	Takeyama, A. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Shimizu, K. (VerfasserIn), Makino, T. (VerfasserIn), Yamazaki, Y. (VerfasserIn), Kuroki, S. I. (VerfasserIn), Tanaka, Y. (VerfasserIn), Oshima, T. (VerfasserIn)
Pages:	2019
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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