Performance Improvement of Trench-Gate SiC MOSFETs by Localized High-Concentration N-Type Ion Implantation

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019
1. Verfasser:	Tanaka, R. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Sugawara, K. (VerfasserIn), Fukui, Y. (VerfasserIn), Hatta, H. (VerfasserIn), Koketsu, H. (VerfasserIn), Suzuki, H. (VerfasserIn), Miyata, Y. (VerfasserIn), Taguchi, K. (VerfasserIn), Kagawa, Y. (VerfasserIn), Tomohisa, S. (VerfasserIn), Miura, N. (VerfasserIn)
Pages:	2019
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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