The Ohmic Contact of 4H-SiC Power Devices by Pulse Laser Annealing and Rapid Thermal Annealing

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019
1. Verfasser:	Zhou, Z. W. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Zhang, Z. Z. (VerfasserIn), He, W. W. (VerfasserIn), Hao, J. Y. (VerfasserIn), Sun, J. (VerfasserIn), Zhang, F. (VerfasserIn), Zheng, Z. D. (VerfasserIn)
Pages:	2019
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
Schlagworte:
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