3x 10/18 - 1 x 10/19 cm - 3 AI+ Ion Implanted 4H-SiC: Annealing Time Effect

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019
1. Verfasser: Nipoti, R. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Parisini, A. (VerfasserIn), Boldrini, V. (VerfasserIn), Vantaggio, S. (VerfasserIn), Canino, M. (VerfasserIn), Sanmartin, M. (VerfasserIn), Alfieri, G. (VerfasserIn)
Pages:2019
Format: UnknownFormat
Sprache:eng
Veröffentlicht: 2020
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Beschreibung
ISBN:3035715793
9783035715798