Pre-Deposition Interfacial Oxidation and Post-Deposition Interface Nitridation of LPCVD TEOS Used as Gate Dielectric on 4H-SiC

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019
1. Verfasser:	Lim, M. W. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Sledziewski, T. (VerfasserIn), Rommel, M. (VerfasserIn), Erlbacher, T. (VerfasserIn), Kim, H. K. (VerfasserIn), Kim, S. J. (VerfasserIn), Shin, H. K. (VerfasserIn), Bauer, A. J. (VerfasserIn)
Pages:	2019
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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