Nano- and Micro-Scale Simulations of Ge/3C-SiC and Ge/4H-SiC NN-Heterojunction Diodes

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019
1. Verfasser:	Rashid, M. H. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Koel, A. (VerfasserIn), Rang, T. (VerfasserIn)
Pages:	2019
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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