Investigation of Dislocations Inducing Leakage Current on SiC Junction Barrier Schottky Diode by Two-Photon-Excited Band-Edge Photoluminescence

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019
1. Verfasser:	Nakanishi, Y. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Noguchi, T. (VerfasserIn), Nakamura, T. (VerfasserIn), Ikegami, M. (VerfasserIn), Kobayashi, K. (VerfasserIn), Konishi, K. (VerfasserIn), Ebihara, K. (VerfasserIn)
Pages:	2019
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
Schlagworte:
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