Cause of Etch Pits during the High Speed Plasma Etching of Silicon Carbide and an Approach to Reduce their Size

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019
1. Verfasser:	Nakanishi, Y. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Mukai, R. (VerfasserIn), Matsuyama, S. (VerfasserIn), Yamauchi, K. (VerfasserIn), Sano, Y. (VerfasserIn)
Pages:	2019
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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