Origin of Large Bumps Abnormally Grown on 4H-SiC Epitaxial Film by Adding HCI Gas with High CI/Si Ratio in CVD Process

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019
1. Verfasser:	Daigo, Y. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Ishiguro, A. (VerfasserIn)
Pages:	2019
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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