Investigation on the Threading Dislocations Formed by Lattice Misfits during Initial Stage of Sublimation Growth of 4H-SiC

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019
1. Verfasser:	Eun, T. H. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Yeo, I. G. (VerfasserIn), Kim, J. Y. (VerfasserIn), Lee, S. S. (VerfasserIn), Seo, H. S. (VerfasserIn), Chun, M. C. (VerfasserIn), Hong, S. K. (VerfasserIn)
Pages:	2019
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
Schlagworte:
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