Low-Resistivity W/WSiN/poly-Si “Polymetal” Gate Electrode Technology

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (56 : 1999 : Osaka) 56.-Handōtai-Shuseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū
1. Verfasser:	Akasaka, Y. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Nakajima, K. (VerfasserIn), Miyano, K. (VerfasserIn), Hiura, Y. (VerfasserIn), Azuma, A. (VerfasserIn), Toyoshima, Y. (VerfasserIn), Suguro, K. (VerfasserIn)
Pages:	56
Format:	UnknownFormat
Sprache:	jpn
Veröffentlicht:	1999
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