Improvement of Gate Oxide Integrity in a Low Resistance Stacked Gate MOS by Wet-Hydrogen Oxidation

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (55 : 1998 : Tokio) 55. Handōtai-Shuseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū
1. Verfasser:	Hanaoka, Y. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Ohnishi, K. (VerfasserIn), Yamamoto, N. (VerfasserIn), Tanabe, Y. (VerfasserIn), Mitani, S. (VerfasserIn), Nagahama, T. (VerfasserIn)
Pages:	55
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	1998
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