The Effect of Sn Doping on the Thermoelectric Properties of SiGe Using First Principle Technique

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Conference on Advanced Materials Characterization Techniques (2019 : Kangar) Development and investigation of materials using modern techniques II
1. Verfasser:	Chik, A. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Kheng, H. W. (VerfasserIn), Zaki, R. M. (VerfasserIn), Pa, F. Che (VerfasserIn), Adewale, A. A. (VerfasserIn), Keat, Y. C. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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