Thermally Stable Nitrogen Incorporated ZrO2 Gate Dielectric Prepared by Low Temperature Oxidation of ZrN

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (62 : 2002 : Tokio) Handōtai, Shuseki-Kairo-Gijutsu-62.-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū
1. Verfasser:	Koyama, M. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Suguro, K. (VerfasserIn), Yoshiki, M. (VerfasserIn), Kamimuta, Y. (VerfasserIn), Koike, M. (VerfasserIn), Ohse, M. (VerfasserIn), Hongo, C. (VerfasserIn), Suzuki, M. (VerfasserIn), Nishiyama, A. (VerfasserIn)
Pages:	62
Format:	UnknownFormat
Sprache:	jpn
Veröffentlicht:	2002
Schlagworte:
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!