Development of Fully Silicided Gate Technology in Metal/High-k MOSFETs

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (68 : 2005 : Kyōto) Handōtai, Shuseki-Kairo-Gijutsu-68.-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū
1. Verfasser:	Nabatame, T. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Kadoshima, M. (VerfasserIn), Ogawa, A. (VerfasserIn), Iwamoto, K. (VerfasserIn), Takahashi, M. (VerfasserIn), Mise, N. (VerfasserIn), Migita, S. (VerfasserIn), Ota, H. (VerfasserIn), Fujiwara, H. (VerfasserIn), Satake, H. (VerfasserIn), Toriumi, A. (VerfasserIn)
Pages:	68
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2005
Schlagworte:
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!