Comprehensive Understanding of Surface Roughness Limited Mobility in Unstrained- and Strained-Si MOSFETs by High Resolution TEM Measurements and Novel Characterization Scheme of Si/SiO2 Interface Roughness

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Handōtai, Shuseki-Kairo-Gijutsu-73.-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū
1. Verfasser:	Zhao, Y. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Matsumoto, H. (VerfasserIn), Sato, T. (VerfasserIn), Koyama, S. (VerfasserIn), Takenaka, M. (VerfasserIn), Takagi, S. (VerfasserIn)
Pages:	73
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2009
Schlagworte:
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