Removal of SOC Hard Mask for Patterning of Work Function Metal by Thermally Activated Ozone Gas

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Symposium on Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces (15. : 2021 : Mecheln) Ultra clean processing of semiconductor surfaces XV
1. Verfasser:	Iwahata, S. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Inaba, M. (VerfasserIn), Sebaai, F. (VerfasserIn), Sánchez, E. A. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2021
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