Proximity Effect in Bulk and Surface Inversion Layer of InAs and its Application to Superconducting Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:International Conference on Low Temperature Physics (18 : 1987 : Kyōto) Proceedings of the 18th International Conference on Low Temperature Physics ; 3: Invited papers
1. Verfasser: KAWAKAMI, Tsuyoshi (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: TAKAYANAGI, Hideaki (VerfasserIn)
Pages:18
Format: UnknownFormat
Sprache:eng
Veröffentlicht: 1987
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