The characteristics of homogeneous-base transistors used as switches
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | UnknownFormat |
| Sprache: | eng |
| Veröffentlicht: |
Harwell, Berkshire
Electronics Division, Atomic Energy Research Establishment
1962-
|
| Schriftenreihe: | AERE-R
United Kingdom Atomic Energy Authority Research Group report |
| Schlagworte: | |
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