Broadband Ultraviolet Photodetector Based on Graphene/ß-Ga2O3/GaN Heterojunction

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (2019 : Peking) Materials for electronics: silicon carbide and related materials
1. Verfasser:	Zeng, C. H. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Ma, Y. J. (VerfasserIn), Zhang, B. S. (VerfasserIn), Xu, Y. M. (VerfasserIn), Kong, M. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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