Elimination of Silicon Droplets Formation during 4H-SiC Epitaxial Growth by Chloride-Based CVD in a Vertical Hot-Wall Reactor

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (2019 : Peking) Materials for electronics: silicon carbide and related materials
1. Verfasser:	Li, C. G. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Ju, T. (VerfasserIn), Zhang, L. G. (VerfasserIn), Kan, X. (VerfasserIn), Zhang, X. (VerfasserIn), Qin, J. (VerfasserIn), Zhang, B. S. (VerfasserIn), Zhang, Z. H. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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