Growth models of copper filling in through silicon via at different current density

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	2013 IEEE CPMT Symposium Japan (formerly VLSI Packaging Workshop of Japan)
1. Verfasser:	Wang, Zhaoyu (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Cheng, Ping (VerfasserIn), Wang, Hong (VerfasserIn), Guo, Honglei (VerfasserIn), Ding, Guifu (VerfasserIn), Zhao, Xiaolin (VerfasserIn), Li, Jianhua (VerfasserIn)
Pages:	2013
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2013
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