Process-Induced ReRAM Performance Improvement of Atomic Layer Deposited HfO2 for Analog In-Memory Computing Applications

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ECS Meeting (239. : 2021 : Online) (11.) Silicon Compatible Emerging Materials, Processes, and Technologies for Advanced CMOS and Post-CMOS Applications 11
1. Verfasser:	Consiglio, S. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Higuchi, H. (VerfasserIn), Ando, T. (VerfasserIn), Jamison, P. (VerfasserIn), Seo, S. C. (VerfasserIn), Kong, D. (VerfasserIn), Kim, Y. (VerfasserIn), Tapily, K. (VerfasserIn), Clark, R. D. (VerfasserIn), Hopstaken, M. (VerfasserIn), Cartier, E. (VerfasserIn), Tsunomura, T. (VerfasserIn), Wajda, C. S. (VerfasserIn), Soave, R. (VerfasserIn), Narayanan, V. (VerfasserIn), Leusink, G. J. (VerfasserIn)
Pages:	11
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2021
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