Characteristic Enhancement of InGaN-Based Light Emitting Diodes Grown on Pattern Sapphire Substrates

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Conference on Material Engineering and Manufacturing (3. : 2019 : Nanjing) Material engineering and manufacturing II
1. Verfasser:	Wang, H. Y. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Jin, G. (VerfasserIn), Tan, Q. L. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
Schlagworte:
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