EFFECTS OF ELECTRICAL STRESS AND HIGH-ENERGY ELECTRON IRRADIATION ON THE INGAP/GAAS HETEROJUNCTION PHOTOTRANSISTOR

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	MRS Spring Meeting & Exhibit (2015 : San Francisco, Calif.) Defects and materials issues in semiconductors - relationship to optoelectronic properties and device reliability
1. Verfasser:	Than, P. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Uchida, K. (VerfasserIn), Makino, T. (VerfasserIn), Ohshima, T. (VerfasserIn), Nozaki, S. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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