Hochzuverlässige Elektroniksysteme und Architekturen für das autonome und elektrische Fahren (AutoDrive) - Teilvorhaben: Gatetreiber für SiC-MOSFET-Leistungsmodule : Schlussbericht : Laufzeit: 01.06.2017-30.06.2020 = Highly Reliable Electronic Systems and Architectures for Autonomous and Electric Driving (AutoDrive) - Subproject Gate Driver for SiC MOSFET Power Modules

Hochzuverlässige Elektroniksysteme und Architekturen für das autonome und elektrische Fahren (AutoDrive) - Teilvorhaben: Gatetreiber für SiC-MOSFET-Leistungsmodule Schlussbericht : Laufzeit: 01.06.2017-30.06.2020 = Highly Reliable Electronic Systems and Architectures for Autonomous and Electric Driving (AutoDrive) - Subproject Gate Driver for SiC MOSFET Power Modules

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Schmitz, Lukas (VerfasserIn)
Körperschaft: Technische Universität Dortmund Lehrstuhl für Energiewandlung (Herausgebendes Organ)
Weitere Verfasser: Pfost, Martin (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Dortmund Technische Universität Dortmund 2020
Schlagworte:
Forschungsbericht
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Beschreibung
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 16ESE0257
Verbundnummer 01178426
Paralleltitel dem englischen Berichtsblatt entnommen
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Beschreibung:25 Seiten, 2 ungezählte Blätter
Illustrationen, Diagramme