Observation of interstitial oxygen related defects in CZ-silicon in the temperature range 450 °C to 510 °C based on FTIR spectroscopy

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Conference on Condensed Matter and Applied Physics (3. : 2019 : Bikaner) 3rd International Conference on Condensed Matter and Applied Physics (ICC-2019) ; B
1. Verfasser:	Singh, Rajeev (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Nagabalsubramanian, P. B. (VerfasserIn)
Pages:	3
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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