Bi-Polar Synaptic Behavior of Pt/SiOx:Ag/TiOx/p++- Si Memristor

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Seminar on Advances in Materials Science and Engineering (4. : 2019 : Schanghai) Seminar on advances in materials science and engineering
1. Verfasser:	Yuan, Y. H. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Ilyas, N. (VerfasserIn), Qi, Z. H. (VerfasserIn), Li, D. Y. (VerfasserIn), Jiang, X. D. (VerfasserIn), Li, W. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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