The Development of a New Ion Versus Log(Ig) Plot to Characterize Depletion-Mode High Electron Mobility Transistors with the Insertion of a Very Thin Evaporated Al Layer to AIGaN/GaN High Electron Mobility Transistors as an Example
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Veröffentlicht in: | ECS Meeting (237. : 2020 : Montréal) (21.) Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices 21 |
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Pages: | 21 |
Format: | UnknownFormat |
Sprache: | eng |
Veröffentlicht: |
2020
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ISBN: | 9781713811992 |
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