The Development of a New Ion Versus Log(Ig) Plot to Characterize Depletion-Mode High Electron Mobility Transistors with the Insertion of a Very Thin Evaporated Al Layer to AIGaN/GaN High Electron Mobility Transistors as an Example

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:ECS Meeting (237. : 2020 : Montréal) (21.) Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices 21
1. Verfasser: Lau, W. S. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Tan, J. (VerfasserIn)
Pages:21
Format: UnknownFormat
Sprache:eng
Veröffentlicht: 2020
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Beschreibung
ISBN:9781713811992