Mechanism of Reverse Leakage Current in Schottky Diode Fabricated on Large Bandgap Semiconductors like Ga2O3 or Diamond

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ECS Meeting (237. : 2020 : Montréal) (21.) Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices 21
1. Verfasser:	Lau, W. S. (VerfasserIn)
Pages:	21
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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