(Invited) Recent Advances in the Modeling of Strain Relaxation and Dislocation Dynamics in ZnSSe/GaAs (001) Heterostructures

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ECS Meeting (237. : 2020 : Montréal) (21.) Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices 21
1. Verfasser:	Ayers, J. E. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Kujofsa, T. (VerfasserIn), Raphael, J. (VerfasserIn), Islam, M. T. (VerfasserIn), Wales, J. (VerfasserIn), Lindstrom, K. (VerfasserIn), Song, Y. (VerfasserIn)
Pages:	21
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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