Simulation of Electrothermal Characteristics of 1200V/75A 4H-SiC JBS

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (2018 : Peking) Semiconductors: silicon carbide and related materials
1. Verfasser:	Gu, H. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Tang, Y. D. (VerfasserIn), Ge, L. (VerfasserIn), Bai, Y. (VerfasserIn), Zhang, Y. R. (VerfasserIn), Luo, Y. F. (VerfasserIn), Liu, X. Y. (VerfasserIn), Song, G. (VerfasserIn), Tan, B. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
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