Research on Threshold Voltage Instability in SiC MOSFET Devices with Precision Measurement

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (2018 : Peking) Semiconductors: silicon carbide and related materials
1. Verfasser:	Liu, A. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Bai, S. (VerfasserIn), Huang, R. H. (VerfasserIn), Yang, T. T. (VerfasserIn), Liu, H. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
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