Improved Electrical Properties of 4H-SiC MOS Devices with High Temperature Thermal Oxidation

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (2018 : Peking) Semiconductors: silicon carbide and related materials
1. Verfasser:	Xu, H. Y. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Wan, C. P. (VerfasserIn), Ao, J. P. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
Schlagworte:
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!