MOVPE-Schichten aus III/V-Halbleitern auf (001)-Si-Substraten

Zugl.: Braunschweig, Techn. Univ., Diss., 1994

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Tang, Guang-ping (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Düsseldorf VDI-Verl. 1994
Ausgabe:	Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:	Fortschrittberichte VDI Reihe 5, Grund- und Werkstoffe, Kunststoffe 360
Schlagworte:	Hochschulschrift > Silicium > Halbleitersubstrat > Indiumphosphid > Dünne Schicht > MOCVD-Verfahren > Galliumarsenid
Online Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Zugl.: Braunschweig, Techn. Univ., Diss., 1994
Beschreibung:	Literaturverz. S. 90 - 101
Beschreibung:	VI, 101 S Ill., graph. Darst
ISBN:	3183360055 3-18-336005-5