Kartografierung und Modellierung von GaN/Si Wafern zur Zuverlässigkeitsoptimierung von Leistungselektronikanwendungen Schlussbericht zum Teilvorhaben GaNScan : Projektlaufzeit: 01.09.2017-29.02.2020 = Mapping and modelling of GaN/Si wafers for highly reliable power electronics applications
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| Körperschaft: | |
| Format: | UnknownFormat |
| Sprache: | ger |
| Veröffentlicht: |
Stuttgart
Institut für Mikroelektronik Stuttgart (IMS Chips)
2020
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| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
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