Kartografierung und Modellierung von GaN/Si Wafern zur Zuverlässigkeitsoptimierung von Leistungselektronikanwendungen Schlussbericht zum Teilvorhaben GaNScan : Projektlaufzeit: 01.09.2017-29.02.2020 = Mapping and modelling of GaN/Si wafers for highly reliable power electronics applications
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Körperschaft: | |
| Format: | UnknownFormat |
| Sprache: | ger |
| Veröffentlicht: |
Stuttgart
Institut für Mikroelektronik Stuttgart (IMS Chips)
2020
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Tag hinzufügen | Beschreibung: | Förderkennzeichen BMBF 16ES0745 Verbundnummer 01180867 Paralleltitel dem englischen Berichtsblatt entnommen Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden |
|---|---|
| Beschreibung: | 31 Blätter, 2 ungezählte Blätter Illustrationen, Diagramme |