Comparative Study on the Repetitive Unclamped-Inductive-Switching Capability(R-UIS) of 1200V 160mOhm SiC Planar Gate MOSFETs

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser:	Ji, LH. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Chowdhury, S. (VerfasserIn), Powell, B. (VerfasserIn), Chatty, K. (VerfasserIn), Banerjee, S. (VerfasserIn), Matocha, K. (VerfasserIn)
Pages:	2018
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
Schlagworte:
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!