Change in the Parameters of Electron-Irradiated 4H-SiC Schottky Diodes as a Function of the Time during Low-Temperature Isothermal Annealing

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser:	Korolkov, O. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Kozlovski, V. V. (VerfasserIn), Lebedev, A. A. (VerfasserIn), Toompuu, J. (VerfasserIn), Sleptsuk, N. (VerfasserIn), Rang, T. (VerfasserIn)
Pages:	2018
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
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