SiC Charge-Balanced Devices Offering Breakthrough Performance Surpassing the 1-D Ron versus BV Limit

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser:	Bolotnikov, A. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Losee, P. A. (VerfasserIn), Ghandi, R. (VerfasserIn), Kennerly, S. (VerfasserIn), Datta, R. (VerfasserIn), She, X. (VerfasserIn)
Pages:	2018
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
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