15 kV n-GTOs in 4H-SiC

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser:	Ryu, S. H. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Lichtenwalner, DJ. (VerfasserIn), O'Loughlin, M. (VerfasserIn), Capell, C. (VerfasserIn), Richmond, J. (VerfasserIn), Jonas, E. van Brunt. C. (VerfasserIn), Lemma, Y. (VerfasserIn), Burk, A. (VerfasserIn), Hull, B. (VerfasserIn), McCain, M. (VerfasserIn), Sabri, S. (VerfasserIn), O'Brien, H. (VerfasserIn), Ogunniyi, A. (VerfasserIn), Lelis, A. (VerfasserIn), Casady, J. (VerfasserIn), Grider, D. (VerfasserIn), Allen, S. (VerfasserIn), Palmour, J. W. (VerfasserIn)
Pages:	2018
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
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