Experimental Study of High-Temperature Switching Performance of 1.2kV SiC JBSFET in Comparison with 1.2kV SiC MOSFET

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser:	Kanale, A. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Baliga, B. J. (VerfasserIn), Han, K. J. (VerfasserIn), Bhattacharya, S. (VerfasserIn)
Pages:	2018
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
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