Design Optimization of 1.2kV 4H-SiC Trench MOSFET

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser:	Dai, T. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Gammon, P. M. (VerfasserIn), Shah, V. A. (VerfasserIn), Deng, X. (VerfasserIn), Jennings, M. R. (VerfasserIn), Mawby, P. A. (VerfasserIn)
Pages:	2018
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
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