Optimization of Ni/Nb Ratio for High-Temperature-Reliable Ni/Nb Silicide Ohmic Contact on 4H-SiC

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser:	Cuong, V. V. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Ishikawa, S. (VerfasserIn), Sezaki, H. (VerfasserIn), Maeda, T. (VerfasserIn), Yasuno, S. (VerfasserIn), Koganezawa, T. (VerfasserIn), Kuroki, S. (VerfasserIn)
Pages:	2018
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
Schlagworte:
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