Comparison between Ni-SALICIDE and Self-Aligned Lift-Off Used in Fabrication of Ohmic Contacts for SiC Power MOSFET

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser:	Sledziewski, T. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Erlbacher, T. (VerfasserIn), Bauer, A. (VerfasserIn), Frey, L. (VerfasserIn), Chen, X. M. (VerfasserIn), Zhao, Y. L. (VerfasserIn), Li, CZ. (VerfasserIn), Dai, X. P. (VerfasserIn)
Pages:	2018
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
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