Improved SiO2/ 4H-SiC Interface Defect Density Using Forming Gas Annealing

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser:	Wirths, S. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Alfieri, G. (VerfasserIn), Prasmusinto, A. (VerfasserIn), Mihaila, A. (VerfasserIn), Kranz, L. (VerfasserIn), Bellini, M. (VerfasserIn), Knoll, L. (VerfasserIn)
Pages:	2018
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
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