Study of the Post-Oxidation-Annealing (POA) Process on Deposited High-Temperature Oxide (HTO) Layers as Gate Dielectric in SiC MOSFET

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser:	Severino, A. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Piluso, N. (VerfasserIn), Stefano, M. A. di (VerfasserIn), Cordiano, F. (VerfasserIn), Camalleri, M. (VerfasserIn), Arena, G. (VerfasserIn)
Pages:	2018
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
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