On the Origin of Charge Compensation in Aluminum-Implanted n-Type 4H-SiC by Analysis of Hall Effect Measurements

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser:	Weisse, J. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Sledziewski, M. Hauck. T. (VerfasserIn), Krieger, M. (VerfasserIn), Bauer, A. (VerfasserIn), Mitlehner, H. (VerfasserIn), Frey, L. (VerfasserIn), Erlbacher, T. (VerfasserIn)
Pages:	2018
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
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