Increasing Laser-Doping Depth of Al in 4H-SiC by Using Expanded-Pulse Excimer Laser

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser:	Ikeda, A. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Shimokawa, T. (VerfasserIn), Ikenoue, H. (VerfasserIn), Asano, T. (VerfasserIn)
Pages:	2018
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
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